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VQ1001P
来自 AiPCBA

VQ1001P 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:DIP-14
描述:四N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
PDF文件:VQ1001P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
VQ1001P 数据手册 (5 页)
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VQ1001P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数14 Pin
封装DIP-14
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
工作温度(Max)150 ℃
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VQ1001P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度19.56 mm
宽度7.87 mm
高度4.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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VQ1001P 数据手册

VQ1001P 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.04 MByte
VQ1001P 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
4 页 / 0.04 MByte
VQ1001P 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.04 MByte

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