| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 14 Pin |
| 封装 | DIP-14 |
| 漏源极电阻 | 1.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 输入电容值(Ciss) | 110pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 4 个 N 通道 30V 830mA 2W 通孔 14-DIP
Vishay Siliconix
5 页 / 0.04 MByte
Vishay Siliconix
4 页 / 0.09 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
四N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
VISHAY（威世）
四N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
VISHAY（威世）
四N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
