Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > VQ1006P Datasheet 文档
VQ1006P
来自 AiPCBA

VQ1006P 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:DIP-14
描述:N沟道80-和90 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
PDF文件:VQ1006P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VQ1006P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VQ1006P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数14 Pin
封装DIP-14
漏源极电阻4.5 Ω
极性N-Channel
功耗2 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)90 V
漏源击穿电压90.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)400 mA
工作温度(Max)150 ℃
查看数据手册 >

VQ1006P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度19.56 mm
宽度7.87 mm
高度4.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

VQ1006P 数据手册

VQ1006P 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.05 MByte
VQ1006P 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.04 MByte

VQ1006 数据手册

VQ1006P 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道80-和90 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
VQ1006P 数据手册
Vishay Siliconix
VQ1006P 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道80-和90 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
VQ1006P-2 数据手册
Vishay Siliconix
VQ1006P-E3 数据手册
Vishay Siliconix
VQ1006P-2 数据手册
VISHAY（威世）
VQ1006P-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VQ1006P-E3 数据手册
VISHAY（威世）
VQ1006P-2 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet