类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装(公制) | 2012 |
封装 | 0805 |
正向电压 | 1.35 V |
波长 | 940 nm |
视角 | 120° |
上升时间 | 15 ns |
正向电流 | 100 mA |
正向电压(Max) | 1.6 V |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 105 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 1.25 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 105℃ (TA) |
红外(IR) 发射器 940nm 1.35V 100mA 3mW/sr @ 100mA 120° 0805(2012 公制)
Vishay Semiconductor(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY VSMB1940X01 红外发射器, 940NM, 0805, SMD
VISHAY(威世)
高速红外发光二极管, 940纳米, GaAlAs的双异质 High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs Double Hetero
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY VSMB1940ITX01 红外发射器, 120 °, 0805, 100 mA, 1.6 V, 15 ns, 15 ns
VISHAY(威世)
红外发射器, 940 nm, 60 °, 0805, 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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