| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装(公制) | 2012 |
| 封装 | 0805 |
| 额定功率 | 160 mW |
| 上升/下降时间 | 0.015 µs |
| 针脚数 | 2 Position |
| 正向电压 | 1.35 V |
| 波长 | 940 nm |
| 视角 | 60° |
| 峰值波长 | 940 nm |
| 功耗 | 160 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 测试电流 | 100 mA |
| 正向电流 | 100 mA |
| 正向电压(Max) | 1.6 V |
| 正向电流(Max) | 100 mA |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.85 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
红外（IR） 发射器 940nm 1.35V 100mA 3mW/sr @ 100mA 120° 0805（2012 公制）
Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY VSMB1940X01 红外发射器, 940NM, 0805, SMD
VISHAY（威世）
高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的双异质 High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs Double Hetero
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY VSMB1940ITX01 红外发射器, 120 °, 0805, 100 mA, 1.6 V, 15 ns, 15 ns
VISHAY（威世）
红外发射器, 940 nm, 60 °, 0805, 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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