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VSMY7850X01-GS08
来自 AiPCBA

VSMY7850X01-GS08 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:光源与发射器
封装:SMD-2
描述:VISHAY  VSMY7850X01-GS08  红外发光二极管, 850NM, SMD
PDF文件:VSMY7850X01-GS08 数据手册 (7 页)封装尺寸在5 页
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VSMY7850X01-GS08 数据手册 (7 页)
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VSMY7850X01-GS08 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数2 Pin
封装SMD-2
额定功率2.5 W
上升/下降时间0.0165 µs
正向电压2 V
波长850 nm
视角120°
峰值波长850 nm
功耗2500 mW
上升时间15 ns
测试电流1000 mA
正向电流1 A
正向电压(Max)2.5 V
正向电流(Max)1000 mA
下降时间18 ns
工作温度(Max)100 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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VSMY7850X01-GS08 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
高度1.4 mm
工作温度-40℃ ~ 100℃ (TA)
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VSMY7850X01-GS08 数据手册

VSMY7850X01-GS08 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
7 页 / 0.16 MByte
VSMY7850X01-GS08 其他数据使用手册
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7 页 / 0.13 MByte
VSMY7850X01-GS08 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.14 MByte
VSMY7850X01-GS08 产品样片图册
Vishay Semiconductor（威世）
1 页 / 0.12 MByte

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VISHAY（威世）
高功率红外发光二极管， 850纳米，表面发射器技术 High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology
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