| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.13Ω @1-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Low On-State Resistance : Rds(on) = 0.17Ω@ Vgs = -4.5V Rds(on) = 0.3Ω@ Vgs = -2.5V Ultra High-Speed Switching Dribing Voltage : -2.5V Gate Protect Diode Built-in P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package 描述与应用| 低导通电阻：RDS（ON）=0.17Ω@ VGS=-4.5V RDS（ON）=0.3Ω@ VGS=-2.5V 超高速开关 Dribing电压：-2.5V 内置栅极保护二极管 P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小包装
Torex Semiconductor（特瑞仕）
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