类型 | 描述 |
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封装 | SOT-363 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
●Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
●Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V
●集电极连续输出电流IC
●Collector Current(IC) | -100MA
●基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ
●基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ
●基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
●Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 0.21
●直流电流增益hFE
●DC Current Gain(hFE) | 80
●截止频率fT
●Transtion Frequency(fT) | 80MHZ
●耗散功率Pc
●Power Dissipation | 150MW/0.15W
●描述与应用
●Description & Applications | 硅PNP型外延刨床晶体管
● 开关/数字电路
● ■特性
●两个元素纳入一个包。
● (晶体管内置电阻)
●减少一半的安装面积和组装成本。
●UN1114×2元素
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Panasonic(松下)
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