| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100MA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10 KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 160~460 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 150MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 150MW 描述与应用 Description & Applications | 硅NPN型晶体管 开关/数字电路 ■特性
●两个元素纳入一个包。 (晶体管内置电阻)
●减少一半的安装面积和组装成本。 ■元素的基本零件号码 UN1215 × 2 技术文档PDF下载 | 在线阅读
Panasonic（松下）
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