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ZTX849
来自 AiPCBA

ZTX849 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:Diodes（美台）
分类:双极性晶体管
封装:E-Line-3
描述:DIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE
PDF文件:ZTX849 数据手册 (3 页)
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ZTX849 数据手册 (3 页)
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ZTX849 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流5.00 A
封装E-Line-3
极性NPN
功耗1.2 W
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流5A
最小电流放大倍数100 @1A, 1V
额定功率(Max)1.2 W
直流电流增益(hFE)200
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1200 mW
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ZTX849 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 200℃
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ZTX849 数据手册

ZTX849 数据手册
Diodes（美台）
3 页 / 0.06 MByte
ZTX849 其他数据使用手册
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
ZTX849 其他参考文件
Diodes（美台）
1 页 / 0.16 MByte
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