| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 710 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 漏源极电阻 | 2.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 710 mA |
| 上升时间 | 8.00 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 75pF @18V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
5 页 / 0.28 MByte
Diodes（美台）
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes（美台）
60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZVN2106G 晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
