| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | E-Line-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 10 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 625 mW |
| 输入电容 | 40.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 40pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZVN3310F 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Zetex
ZVN3310FTA N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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