类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 200 mA |
封装 | TO-92-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 10.0 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 625 mW |
输入电容 | 40.0 pF |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 40pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 625 mW |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
长度 | 4.77 mm |
宽度 | 2.41 mm |
高度 | 4.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
3 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZVN3310F 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Zetex
ZVN3310FTA N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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