最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 10Ω/Ohm 500mA,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2.4V 耗散功率Pd Power Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| • High pulse current handling in linear mode • Low input capacitance • Fast switching speed • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) 描述与应用| •高脉冲电流线性模式的处理 •低输入电容 •开关速度快 •铅通过设计/符合RoHS标准
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZVN3310F 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Zetex
ZVN3310FTA N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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