最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 2.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET 描述与应用| SOT23封装N沟道增强 模式垂直DMOS FET
Diodes（美台）
DIODES INC. ZVN4106F 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 V
Zetex
ZVN4106FTA N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 MZ 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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