| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 漏源极电阻 | 1.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 输入电容 | 100 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 100pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
Diodes（美台）
ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZVN4206G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
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