类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 1.10 A |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.45 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 850 mW |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 350 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.10 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 850 mW |
下降时间 | 16 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 850 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
长度 | 4.77 mm |
宽度 | 2.41 mm |
高度 | 4.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
ZVN4306A 系列 60 V 0.33 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-TO-92
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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