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ZVN4525E6TA
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ZVN4525E6TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:Diodes（美台）
分类:MOS管
封装:SOT-23-6
描述:DIODES INC.  ZVN4525E6TA  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 230 mA, 250 V, 8.5 ohm, 10 V, 1.4 V
PDF文件:ZVN4525E6TA 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
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ZVN4525E6TA 数据手册 (7 页)
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ZVN4525E6TA 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)250 V
额定电流230 mA
封装SOT-23-6
针脚数6 Position
漏源极电阻8.5 Ω
极性N-Channel
功耗1.1 W
阈值电压1.4 V
输入电容72.0 pF
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
栅源击穿电压±40.0 V
连续漏极电流(Ids)230 mA
上升时间1.7 ns
输入电容值(Ciss)72pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.1 W
下降时间3.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1100 mW
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ZVN4525E6TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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ZVN4525E6TA 数据手册

ZVN4525E6TA 数据手册
Diodes（美台）
7 页 / 1 MByte
ZVN4525E6TA 其他数据使用手册
Diodes（美台）
183 页 / 0.63 MByte
ZVN4525E6TA 开发手册
Diodes（美台）
7 页 / 1 MByte
ZVN4525E6TA 产品封装文件
Diodes（美台）
8 页 / 0.42 MByte
ZVN4525E6TA 其他参考文件
Diodes（美台）
1 页 / 0.15 MByte

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