| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 250 V |
| 额定电流 | 310 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 漏源极电阻 | 9.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 输入电容 | 72.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 栅源击穿电压 | ±40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 310 mA |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 72pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
8 页 / 0.28 MByte
Diodes（美台）
183 页 / 0.63 MByte
Diodes（美台）
7 页 / 0.28 MByte
Diodes（美台）
8 页 / 0.4 MByte
Diodes（美台）
1 页 / 0.15 MByte
Diodes（美台）
DIODES INC. ZVN4525E6TA 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 230 mA, 250 V, 8.5 ohm, 10 V, 1.4 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
