| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 320 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 4.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 0.7 W |
| 输入电容 | 75.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 320 mA |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 75pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - SOT-223
Zetex
ZVNL110GTA N沟道MOSFET 100V 600mA/0.6A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 ZVNL110 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
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