| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 180 mA |
| 封装 | E-Line-3 |
| 漏源极电阻 | 10.0 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 700mW (Ta) |
| 输入电容 | 7.00 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 180 mA |
| 上升时间 | 8.00 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 85pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 700mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape, Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
DIODES INC. ZVNL120A 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 200 V, 10 ohm, 5 V, 1.5 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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