| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -280 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 4 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 700 mW |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 输入电容 | 100 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 320 mA |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 100pF @18V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes（美台）
通孔-P-通道-60V-280mA（Ta）-700mW（Ta）-E-Line（TO-92-兼容）
Diodes（美台）
DIODES INC. ZVP2106G 晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V
Zetex
ZVP2106GTA P沟道MOS场效应管 -60V -450mA 5ohm SOT-223 marking/标记 zvp2106
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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