类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -450 mA |
封装 | TO-261-4 |
漏源极电阻 | 5.00 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 0.2 W |
输入电容 | 100 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 450 mA |
上升时间 | 15 ns |
输入电容值(Ciss) | 100pF @18V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes(美台)
通孔-P-通道-60V-280mA(Ta)-700mW(Ta)-E-Line(TO-92-兼容)
Diodes(美台)
DIODES INC. ZVP2106G 晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V
Zetex
ZVP2106GTA P沟道MOS场效应管 -60V -450mA 5ohm SOT-223 marking/标记 zvp2106
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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