| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -160 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 14 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 625 mW |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 输入电容 | 50.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 160 mA |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @18V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 4.77 mm |
| 宽度 | 2.41 mm |
| 高度 | 4.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZVP3306A 系列 60 V 14 Ohm P 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
Zetex
DS（ON）=5ΩPARTMARKING详细信息： - ZVP2106互补型： - ZVN2106G
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZVP3306F 晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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