| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -140 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 漏源极电阻 | 20.0 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 625mW (Ta) |
| 输入电容 | 50.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 140 mA |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZVP3310 系列 P 沟道 100 V 140 mA 625 mW 垂直 DMOS FET - TO-92
Zetex
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P 沟道 MOSFET，100V 至 450V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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P 沟道 MOSFET，100V 至 450V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
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