最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -900mA/-0.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.6Ω @-610mA,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.7V 耗散功率PdPower Dissipation| 625mW/0.625W Description & Applications| FEATURES • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • SOT23 package 描述与应用| •低导通电阻 •开关速度快 •低门槛 •低栅极驱动器 •SOT23封装
Diodes(美台)
ZXM61P02F 系列 20V 0.6 Ohm P-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-23
Zetex
ZXM61P02FTA P沟道MOS场效应管 -20V -0.9A 0.6ohm SOT-23 marking/标记 P02 低导通电阻 快速开关
Diodes(美台)
DIODES INC. ZXM61P02F 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mV
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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