| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -800 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 900 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 0.806 W |
| 输入电容 | 150 pF |
| 栅电荷 | 3.50 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 900 mA |
| 上升时间 | 6.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 150pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 下降时间 | 10.1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 806 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZXM61P02F 系列 20V 0.6 Ohm P-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-23
Zetex
ZXM61P02FTA P沟道MOS场效应管 -20V -0.9A 0.6ohm SOT-23 marking/标记 P02 低导通电阻 快速开关
Diodes（美台）
DIODES INC. ZXM61P02F 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mV
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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