| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | MSOP-8 |
| 额定功率 | 1.25 W |
| 漏源极电阻 | 135 mΩ, 185 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 870 mW |
| 输入电容 | 270 pF |
| 栅电荷 | 7.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | ±30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 4.80 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 290pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.04 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 3.1 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V - 1.04W 表面贴装型 8-MSOP
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8
Diodes Zetex（捷特科）
N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXMD63C03X 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
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