类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TSSOP-8 |
通道数 | 2 Channel |
极性 | N+P |
功耗 | 870 mW |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.3A/2A |
输入电容值(Ciss) | 290pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.04 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Semiconductor(威世)
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Diodes(美台)
ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8
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N/P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZXMD63C03X 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
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