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ZXMHC6A07N8
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ZXMHC6A07N8 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
封装:SOIC-8
描述:MOS(场效应管)/ZXMHC6A07N8
PDF文件:ZXMHC6A07N8 数据手册 (11 页)
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ZXMHC6A07N8 技术参数、封装参数

类型描述
封装SOIC-8
极性N+P
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)1.8A/1.42A
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ZXMHC6A07N8 数据手册

ZXMHC6A07N8 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.72 MByte

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