| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 700 mA |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 漏源极电阻 | 900 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.6 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.40 A |
| 上升时间 | 1.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 138pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 下降时间 | 2.1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2600 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 1A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
Diodes（美台）
7 页 / 0.32 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
7 页 / 0.32 MByte
Diodes（美台）
1 页 / 0.15 MByte
Diodes（美台）
ZXMN10A07Z 系列 100 V 0.7 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET -SOT-89
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXMN10A07F 晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
