| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 350 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 8.5 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 274pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.11 W |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.11W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 2.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
Diodes（美台）
8 页 / 0.64 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXMN10A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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