| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 6.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 35.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.70 A |
| 上升时间 | 14.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1880pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 下降时间 | 14.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
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