| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 120 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 970 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.3A |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 186pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 970 mW |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 970mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 2.2A（Ta） 970mW（Ta） SOT-89-3
Diodes（美台）
7 页 / 0.23 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
6 页 / 0.23 MByte
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXMN3A01F 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
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