| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 宽度 | 1.4 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 625mW/0.625W Description & Applications| 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • SOT23 pa 描述与应用| 60V N-沟道增强型MOSFET 说明 这种新一代沟道MOSFET由Zetex采用独特的结构 的低导通电阻的开关速度快的优点结合。这 使他们高效率，低电压，电源管理应用的理想选择 •低导通电阻 •开关速度快 •低门槛 •低栅极驱动器 •SOT23封装
Diodes（美台）
DIODES INC. ZXMN6A07FTA 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Zetex
ZXMN6A07FTA N沟道MOSFET 60V 1A SOT-23/SC-59 marking/标记 7N6 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes（美台）
N-沟道 60 V 0.25 Ω 3.2 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-23
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc
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