| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 2.50 A |
| 封装 | SOT-23-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 150 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.7 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 459pF @40V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 1.8 mm |
| 高度 | 1.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
Diodes（美台）
8 页 / 0.19 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
9 页 / 0.43 MByte
Diodes（美台）
8 页 / 0.54 MByte
Diodes（美台）
1 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXMN6A08E6 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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