| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 2.70 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.18 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.1 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.70 A |
| 上升时间 | 3.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @40V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 2.5A 1.8W 表面贴装型 8-SO
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8 页 / 0.63 MByte
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293 页 / 0.91 MByte
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ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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