类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 70.0 V |
额定电流 | 6.10 A |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 8.5 W |
输入电容 | 298 pF |
栅电荷 | 4.35 nC |
漏源极电压(Vds) | 70 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.10 A |
上升时间 | 2 ns |
输入电容值(Ciss) | 298pF @40V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.11 W |
下降时间 | 5.8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.11W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 4.2A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
ZXMN7A11G 系列 70 V 0.13 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23-3
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZXMN7A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
Zetex
ZXMN7A11KTC N沟道MOSFET 70V 6.1A TO-252/D-PAK marking/标记 ZXMN7A11 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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