| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -5.20 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 10200 mW |
| 输入电容 | 1.05 nF |
| 栅电荷 | 26.9 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.90 A |
| 上升时间 | 6.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1055pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 17.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.17W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
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Diodes（美台）
ZXMP10A18 系列 100 V 0.15 Ohm P 沟道 增强模式 MOSFET - DPAK
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，100V 至 450V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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