| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -4.40 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 110 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.40 A |
| 上升时间 | 2.87 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 630pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 下降时间 | 8.72 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 4.4A（Ta） 2.1W 表面贴装型 8-SO
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
10 页 / 0.27 MByte
Diodes（美台）
1 页 / 0.14 MByte
Diodes（美台）
ZXMP3A17 系列 30 V 0.07 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
