| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -40.0 V |
| 额定电流 | -6.40 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 3.9 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.40 A |
| 上升时间 | 8.84 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1007pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 12.54 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 40 V 4.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Zetex
ZXMP4A16GTA P沟道MOS场效应管 -40V -6.4A 0.060ohm SOT-223 marking/标记 ZXMP4A16 低导通电阻 快速开关
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, P沟道, 9.9 A, -40 V, 0.06 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXMP4A16K 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.9 A, -40 V, 60 mohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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