类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.085 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 9.76 W |
阈值电压 | 1 V |
输入电容 | 1021 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 8.20 A |
上升时间 | 4.1 ns |
输入电容值(Ciss) | 1021pF @30V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.11 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.11W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 60 V 5.4A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
Diodes(美台)
8 页 / 0.54 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
DIODES INC. ZXMP6A16KTC 晶体管, MOSFET, P沟道, 8.2 A, -60 V, 85 mohm, -10 V, -1 V
Diodes(美台)
ZXMP6A16 系列 60 V 0.085 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZXMP6A16DN8TC SO-8
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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