| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -4.10 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.096 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.10 A |
| 上升时间 | 3.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 637pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 11.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Diodes（美台）
P-沟道 60 V 125 mOhm 表面贴装 增强型 Mosfet - TO252-3L
Diodes（美台）
ZXMP6A16 系列 60 V 0.125 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.3 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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