类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-223-3 |
输出接口数 | 1 Output |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 75 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.6 W |
阈值电压 | 700 mV |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
上升时间 | 18000 ns |
输入电压(Min) | 0 V |
输出电流(Max) | 2.8 A |
输入数 | 1 Input |
下降时间 | 15 µs |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | 40 ℃ |
输入电压 | 5.5 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TA) |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
DIODES INC. ZXMS6006DGTA 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.075 ohm, 5 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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