| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 电容 | 110 pF |
| 封装 | SOD-123 |
| 输出电流 | ≤1.00 A |
| 正向电压 | 450mV @1A |
| 极性 | Standard |
| 正向电压(Max) | 450mV @1A |
| 正向电流(Max) | 1 A |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 450 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
反向电压VrReverse Voltage| 40V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 1A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 450mV/0.45V 最大耗散功率PdPower dissipation| 450MW/0.45W Description & Applications| 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER · Guard Ring Die Construction for Transient Protection · Low Power Loss, High Efficiency · High Surge Capability · High Current Capability and Low Forward Voltage Drop · For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Application . SCHOTTKY BARRIER DIODE 描述与应用| 1.0A表面装载肖特基整流器 ·保护环电路,瞬态保护 ·低功耗，高效率 ·高浪涌能力 ·大电流和低正向压降 ·低电压，高频率逆变器， 续流和极性保护。 肖特基垒势二极管
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 1N5819 肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, DO-41, 2 引脚, 900 mV
ON Semiconductor（安森美）
1.5 A ， 340 kHz时，降压稳压器具有同步功能 1.5 A, 340 kHz, Buck Regulator with Synchronization Capability
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5819 肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, DO-204AL, 2 引脚, 900 mV
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
TAIWAN SEMICONDUCTOR 1N5819 肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, DO-41, 2 引脚, 900 mV
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