| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 6.20 V |
| 封装 | DO-201AD |
| 额定功率 | 1.50 kW |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 击穿电压 | 6 V |
| 电路数 | 1 Circuit |
| 针脚数 | 2 Position |
| 功耗 | 5 W |
| 钳位电压 | 8.5 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 5V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 6 V |
| 脉冲峰值功率 | 1500 W |
| 最小反向击穿电压 | 6 V |
| 击穿电压 | 6 V |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | -65℃ ~ 175℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 9.52 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 5.21 mm |
| 直径 | 5.30 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 1N5908RL4G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5 V, 8.5 V, DO-204AL, 2 引脚
Littelfuse（力特）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Z-TEK（力特電子）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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