反向电压VrReverse Voltage| 400V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current| 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.2V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 1.5NS 最大耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| FEATURES •TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Type •High VoltAge, High Speed Switching ApplicAtions •Low forwArd VoltAge : VF = 0.94V (typ.) •High VoltAge : VR = 400V (min) •FAst reVerse recoVery time : trr = 1.5ns (typ.) •SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 3.2pF (typ.) 描述与应用| 特点 •东芝二极管硅外延平面型 •高电压,高速开关应用 •低正向电压VF=0.94V(典型值) •高电压:VR= 400V(最小) •快速反向恢复时间:TRR =为1.5ns(典型值) •小总电容:CT=3.2pF(典型值)
Toshiba(东芝)
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