| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | UFM-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 8V 最大漏极电流IdDrain Current | -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.028Ω @-3A,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.3V-1.0V 耗散功率PdPower Dissipation | 800mW/0.8W Description & Applications | 1.Power Management Switch Applications 2.High-Current Switching Applications 3.1.5 V drive 4.Low on-resistance 描述与应用 | 1.电源管理开关应用 2.高电流开关应用 3.1.5 V驱动器 4.低导通电阻
Toshiba（东芝）
6 页 / 0.19 MByte
Toshiba（东芝）
电源管理开关应用 高电流开关应用•1.5 V驱动器•低导通电阻罗恩= 140MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V）罗恩=78MΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V）罗恩=49毫欧（最大值）（@ VGS=-2.5 V）罗恩=38MΩ（最大）（@ VGS= ..
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
