反向电压VrReverse Voltage | 80v \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.2V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 4.0NS 最大耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type. Ultra-High-Speed Switching Applications. Small package. Excellent in forward current and forward voltage characteristics : VF (3) = 0.9 V (typ.). Fast reverse recovery time : trr = 1.6 ns (typ.). Small total capacitance : CT = 0.9 pF (typ.). 描述与应用 | 东芝二极管硅外延平面型。 超高速开关应用。 小包装。 优异的正向电流和正向电压 特点:VF(3)=0.9 V(典型值)。 快速反向恢复时间:TRR =1.6纳秒(典型值)。 小总电容:CT=0.9 pF的(典型值)。
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1SS361 双管共阴极 开关二极管 80V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 B3 超高速开关
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二极管 - 通用,功率,开关 0.1A 80V High-speed Switching Diode
Diodes(美台)
开关二极管 1SS361UDJ-7 SOT-963-6
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1SS361F 双管共阴极 开关二极管 80V 100mA/0.1A SOT-523/ESM marking/标记 B3 超高速开关
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1SS361FV 双管共阴极 开关二极管 80V 100mA/0.1A SOT-723/VESM marking/标记 B3 超高速开关
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