HN1B04F 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -35V/35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -30V/30V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -500mA/500mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHz/300MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 70~400/700~400 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -100mV/100mV 耗散功率Pc Power Dissipation | 300mW Description & Applications | Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: • Excellent hFE linearity : hFE(2)= 25 (min) at VCE = −6V, IC = −400mA Q2: • Excellent hFE linearity : hFE(2) = 25 (min) at VCE = 6V, IC = 400mA • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • Driver Stage Amplifier Applications • Switching application 描述与应用 | 特点 •东芝晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型（PCT工艺）（PCT工艺） Q1： •优秀的HFE线性：HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V，IC=-400毫安 Q2： •优秀的HFE线性：HFE（2）=25（分钟）VCE=6V，IC=400毫安 •音频通用放大器应用 •驱动器级放大器的应用 •开关应用